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SLM2106B

600V, 450mA/950mA 高低边（biān）驱动

样（yàng）片申请

SLM2106B Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性

安规认证

典型应用图

产品（pǐn）概（gài）述（shù）

SLM2106B是一（yī）款高压、高速（sù）的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器，它提供独（dú）立的高（gāo）边（biān）、低边输（shū）出驱动信号。采（cǎi）用专有的高压（yā）集成电路（lù）和锁存免疫（yì）CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动（dòng）方案。逻辑输入电平与（yǔ）标准CMOS或（huò）LSTTL输出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑。输出（chū）驱动（dòng）器（qì）具有高（gāo）脉（mò）冲电（diàn）流缓冲级，以减小（xiǎo）驱动器交叉（chā）导（dǎo）通。浮动通道可（kě）用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压（yā）可高（gāo）达600V。

产（chǎn）品特性（xìng）

为自举供电（diàn）设计的浮动通道

全电压（yā）范围运行（háng）达（dá）600V

允许瞬态负电压，不（bú）受dV/dt影（yǐng）响

驱（qū）动电源范围从10V到20V

欠压（yā）闭锁

3.3V，5V和15V逻辑兼容

两通（tōng）道间匹配传输（shū）延（yán）时

典型开（kāi）通/关断延时：160ns/220ns

典型驱动电流：450mA/950mA

输（shū）入输（shū）出同（tóng）相

SOP8封装